可以分为:湿蚀刻（wet etching）:湿蚀刻所使用的是化学溶液，在经过化学反应之后达到蚀刻的目的。干蚀刻（dry etching）:干蚀刻则是利用一种电浆蚀刻（plasma etching）。电浆蚀刻中蚀刻的作用，可能是电浆中离子撞击晶片表面所产生的物理作用，或者是电浆中活性自由基（Radical）与晶片表面原子间的化学反应，甚至也可能是以上两者的复合作用。
现在主要应用技术:等离子体刻蚀 四、CVD化学气相沉积这是利用热能、电浆放电或紫外光照射等化学反应的方式，在反应器内将反应物（通常为气体）生成固态的生成物，并在晶片表面沉积形成稳定固态薄膜（film）的一种沉积技术。CVD技术是半导体IC制程中运用极为广泛的薄膜形成方法，如介电材料（dielectrics）、导体或半导体等薄膜材料几乎都能用CVD技术完成。
常用的CVD技术有：(1)「常压化学气相沉积（APCVD）」；(2)「低压化学气相沉积（LPCVD）」；(3)「电浆辅助化学气相沉积（PECVD）」较为常见的CVD薄膜包括有：■ 二气化硅（通常直接称为氧化层） ■ 氮化硅 ■ 多晶硅 ■ 耐火金属与这类金属之其硅化物CVD的反应机制主要可分为五个步骤：(1)在沉积室中导入气体，并混以稀释用的惰性气体构成「主气流（mainstream）」；(2)主气流中反应气体原子或分子通过边界层到达基板表面；(3)反应气体原子被「吸附（adsorbed）」在基板上；(4)吸附原子（adatoms）在基板表面移动，并且产生化学反应；(5)气态生成物被「吸解（desorbed）」，往外扩散通过边界层进入主气流中，并由沉积室中被去除。
五、物理气相沉积（PVD）这主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。 PVD以真空、测射、离子化或离子束等方法使纯金属挥发，与碳化氢、氮气等气体作用，加热至400～600℃（约1～3小时）后，蒸镀碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1～10μm厚之微细粒状薄膜，PVD可分为三种技术：(1)蒸镀（Evaporation）；(2)分子束磊晶成长（Molecular Beam Epitaxy；MBE）；(3)溅镀（Sputter）解离金属电浆是最近发展出来的物理气相沉积技术，它是在目标区与晶圆之间，利用电浆，针对从目标区溅击出来的金属原子，在其到达晶圆之前，加以离子化。
离子化这些金属原子的目的是，让这些原子带有电价，进而使其行进方向受到控制，让这些原子得以垂直的方向往晶圆行进，就像电浆蚀刻及化学气相沉积制程。这样做可以让这些金属原子针对极窄、极深的结构进行沟填，以形成极均匀的表层，尤其是在最底层的部份。六、离子植入（Ion Implant）离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。
