ddr3，ddr3 是什么意思

1，ddr3 是什么意思

就是DDR第三代是目前最好的DDR内存 1600是它的频率频率越高性能也就越好但是目前DDR3都是用在高端主板上的例如华硕玩家国度

电脑内存的一种规格，相对于ddr和ddr2而言，顾名思义ddr3就是他们的升级版咯

ddr3 是什么意思

2，什么是DDR3

针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：　　(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。　　(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。　　(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。　　(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。　　目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

内存啊 DDR3 就是第三代内存 DDR DDR2 DDR3

第3代内存

http://baike.baidu.com/view/1624668.htm 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器

什么是DDR3

3，ddr3的具体参数

从技术指标上看，DDR3内存的起跑频率就已经是在1066MHz了，尽管延时参数方面没法与DDR2内存相抗衡，但是将来推出的 1600/2000MHz产品的内存带宽肯定大幅度抛离DDR2内存，以DDR3 2000MHz为例，其带宽可以达到16GB/s（双通道内存方案则可以达到32GB/s的理论带宽值）。DDR3内存在达到高带宽的同时，其功耗反而可以降低，其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省 30%的功耗，当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡，对比现有的DDR2-800产品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比上代更好。当然，目前只有Core i7系列、AMD羿龙2系列才能发挥DDR3的性能，因为二者都集成有DDR3的内存控制器，而目前的Core2和AMD羿龙2以前的处理器前者是通过前端总线与内存交换数据，瓶颈在总线频率，后者没有对DDR3提供支持。

根据你的叙述，要列出DDR3的具体参数是很模糊的概念，首先，固定项目，插脚数目： 240pin 颗粒封装： BGA ，其次，DDR3相比起DDR2有更高的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。DDR3采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，再则，由于内存条品牌（现代（HY），金士顿（Kingston），勤茂（TwinMOS），胜创（Kingmax），海盗旗（Corsair），宇瞻（Apacer），金邦（Geil）威刚（ADATA）等）不同，生产厂家出厂的参数也会有所不同。

ddr3的具体参数

4，ddr3是什么意思

DDR3是计算机内存的规格。最新的规格为DDR5。 DDR3属于SDRAM家族的存储器产品，提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者（增加至八倍）。 DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。扩展资料 DDR3由于新增一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是环保封装，不能含有任何有害物质。由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可透过A12位址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3存储器中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。参考资料：搜狗百科 - DDR3

ddr3是一种电脑内存规格。它属于sdram家族的内存产品，提供了相较于ddr2 sdram更高的运行效能与更低的电压，是ddr2 sdram的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。

DDR3是一种电脑内存规格，性能相对于DDR2有一定提高。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。

内存第三代

DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。

5，DDR3内存条

DDR3-1066 笔记本内存 DDR3的一般是这个型号笔记本主板对不同品牌内存混插比较难兼容可以这样考虑，搬你的笔记本去商家买来以后插上去运行大型的3D游戏或者需要占用内存很大的程序，运行30-60分钟一般不死机蓝屏就好了 2G DDR3-1066(笔记本) 大约320-340 1G 的话 150-170 这个样子如果换了几种品牌 1G的与你原来的1G混插都不兼容那么只好买1条2G的升级内存了

不一定非要与牌子一样的内存，只要兼容就行。不过我觉得很奇怪，我查了其它配置也不怎么样啊，为什么要用DDR3的内存呢。不好买……

很高兴你能回答,你先看这网, <a href="http://wenwen.soso.com/z/urlalertpage.e?sp=shttp%3a%2f%2fwenwen.soso.com%2fz%2fq152990543.htm" target="_blank">http://wenwen.soso.com/z/q152990543.htm</a> ddr2有240个金手指,ddr3有200多个金手指,除了它, ddr3相比起ddr2有更低的工作电压，从ddr2的1.8v降落到1.5v，性能更好更为省电；ddr2的4bit预读升级为8bit预读。ddr3目前最高能够达到2000mhz的速度，尽管目前最为快速的ddr2内存速度已经提升到800mhz/1066mhz的速度，但是ddr3内存模组仍会从1066mhz起跳。 　　一、ddr3在ddr2基础上采用的新型设计： 　　1．8bit预取设计，而ddr2为4bit预取，这样dram内核的频率只有接口频率的1/8，ddr3-800的核心工作频率只有100mhz。 　　2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 　　3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8v降至1.5v，增加异步重置（reset）与zq校准功能。 还有主板支持ddr3的内存就可以用,但要注意主板芯片组能支持内存插座的频率,应该要大于等于1333mhz,就能用ddr3 1333,你网上就能查出来 p35 p43 p45 x38 x38都是原生支持ddr3的 不过问题是ddr3的内存成本高所以很多厂家为了主板在保留主流北桥的情况下,省去了ddr3,采用了廉价的ddr2 ,现在市售的p43没有ddr3内存版本的.

6，内存DDR4和DDR3的区别

【区别】 1、性能不同 DDR3内存起始频率为800Hz，最高频率为2133Hz，最大支持64GB；DDR4内存起始频率就达到了2133Hz，最高频率为3200Hz，最大支持128GB。 DDR4内存在带宽方面规格也明显比DDR3内存高，而影响内存性能的基本就是容量和频率了，因此在相同容量的DDR4内存的性能(速度)比DDR3要好不少。【DDR3】 2、兼容不同 DDR3内存是直的，DDR4内存金手指则变成弯曲状，DDR4和DDR3内存不再兼容。 3、功耗不同 DDR3内存采用的是1.5V标准电压，DDR4内存则降低为1.2V，电压更低，意味着功耗更低。【DDR4】拓展资料内存是电脑中重要的核心部件之一，内存是其它硬件与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对电脑的影响是非常大。内存(Memory)也被称为内存储器，由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。内存的作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了电脑的稳定运行。

1、DDR4与DDR3内存差异一：处理器每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。 2、DDR4与DDR3内存差异二：外型大家注意上图，宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。 3、DDR4与DDR3内存差异三：参数 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

1.外观改变 DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。 2.DDR4内存频率与带宽提升明显频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。

您好！有以下重大变化 1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低。对独显主机提升很小，最高提升10%的游戏性能。但对apu和集显的游戏性能能比1600的ddr3提升最高40%

7，DDR3是什么

楼上不懂就不要说~你听过有DDR3的内存吗？如果要新开发，那开发出来的一定也是DDR4内存`我晕~` DDR3是显存！DDR3显存，可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显： 1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 (2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 (3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。现在明白了？

ddr存储介质的第三代产品,现在大多用于中高端的显卡的显存,ddr3较以往的产品有更高的频率,既有更高的带宽! 产品列表 http://ks.pconline.com.cn/index.jsp?q=ddr3

ddr3内存相对于ddr2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。ddr3同ddr2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。ddr3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4gb这个容量，4gb是32位操作系统的执行上限（不考虑pae等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4gb的时候，64位cpu与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是ddr3内存的普及时期。ddr3 ub dimm 2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。 1、逻辑bank数量 ddr2 sdram中有4bank和8bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而ddr3很可能将从2gb容量起步，因此起始的逻辑bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑bank做好了准备。 2、封装（packages） ddr3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球fbga封装，16bit芯片采用96球fbga封装，而ddr2则有60/68/84球fbga封装三种规格。并且ddr3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（bl，burst length）由于ddr3的预取为8bit，所以突发传输周期（bl，burst length）也固定为8，而对于ddr2和早期的ddr架构的系统，bl=4也是常用的，ddr3为此增加了一个4-bit burst chop（突发突变）模式，即由一个bl=4的读取操作加上一个bl=4的写入操作来合成一个bl=8的数据突发传输，届时可通过a12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在ddr3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 3、寻址时序（timing）就像ddr2从ddr转变而来后延迟周期数增加一样，ddr3的cl周期也将比ddr2有所提高。ddr2的cl范围一般在2至5之间，而ddr3则在5至11之间，且附加延迟（al）的设计也有所变化。ddr2时al的范围是0至4，而ddr3时al有三种选项，分别是0、cl-1和cl-2。另外，ddr3还新增加了一个时序参数——写入延迟（cwd），这一参数将根据具体的工作频率而定。 4、新增功能——重置（reset）重置是ddr3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。dram业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在ddr3身上实现。这一引脚将使ddr3的初始化处理变得简单。当reset命令有效时，ddr3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在reset期间，ddr3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，dll（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使ddr3达到最节省电力的目的。 5、新增功能——zq校准 zq也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（odce，on-die calibration engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与odt的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和odt电阻进行重新校准。 6、参考电压分成两个对于内存系统工作非常重要的参考电压信号vref，在ddr3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的vrefca，另一个是为数据总线服务的vrefdq，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。 7、根据温度自动自刷新（srt，self-refresh temperature）为了保证所保存的数据不丢失，dram必须定时进行刷新，ddr3也不例外。不过，为了最大的节省电力，ddr3采用了一种新型的自动自刷新设计（asr，automatic self-refresh）。当开始asr之后，将通过一个内置于dram芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过ddr3的asr是可选设计，并不见得市场上的ddr3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（srt，self-refresh temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于dram内部设定的这两种温度范围，dram将以恒定的频率和电流进行刷新操作。 8、局部自刷新（rasr，partial array self-refresh）这是ddr3的一个可选项，通过这一功能，ddr3内存芯片可以只刷新部分逻辑bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（mobile dram）的设计很相似。 9、点对点连接（p2p，point-to-point）这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与ddr2系统的一个关键区别。在ddr3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与ddr3内存模组之间是点对点（p2p，point-to-point）的关系（单物理bank的模组），或者是点对双点（p22p，point-to-two-point）的关系（双物理bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与ddr2的类别相类似，也有标准dimm（台式pc）、so-dimm/micro-dimm（笔记本电脑）、fb-dimm2（服务器）之分，其中第二代fb-dimm将采用规格更高的amb2（高级内存缓冲器）。不过目前有关ddr3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。 10.省电：ddr3 module电压从ddr2的1.8v降低到1.5v，同频率下比ddr2更省电，搭配srt（self-refresh temperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（rasr，partial array self-refresh功能），达到省电目的。除了以上9点之外，ddr3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了

也没这样瞎说的，ddr3早就有2000mhz的产品了，就是海盗船的，不懂就别乱说，目前ddr3和ddr2价格相同，部分ddr2价格都比ddr3要高。ddr3是内存颗粒的一种，工艺和封装和ddr2大体相同，但是数据采样的位数，频率，点数不同，所以ddr3的数据量更大，因为通道的特点ddr3可以最高组建三通道，位宽最高可以并联为192-bit，而ddr2最高并联为128-bit，目前ddr3的极限频率为2600mhz多一点，而ddr2只是他的一半多点，但是ddr3的时序要比ddr2高很多，大体原因是用ddr2的工艺无法发挥出ddr3构造的全部实力，不过目前ddr3的价格已经进入了主流阶段，ddr2也在步入淘汰阶段不建议购买，现在的ddr3只是在起步阶段，虽然在2012年会有ddr4，但是内存更换周期约为10年到20年，所以问题不大。