韩国经济为什么抵御不了日本制裁？
韩国以前是一个贫穷的国家，韩国的经济能够发展起来，堪称奇迹，美其名曰“汉江奇迹”！韩国的经济能够创造汉江奇迹，要感谢一个人，他就是韩国前总统、朴槿惠被枪杀身亡的父亲朴正熙，没有朴正熙，就没有“汉江奇迹”，没有“汉江奇迹”，韩国就不会成为亚洲四小龙；没有“汉江奇迹”，韩国今天还是一穷二白，韩国就不会成为东亚经济强国！朴正熙为韩国做出了很大的贡献，带动了韩国经济的发展，同时也做大了韩国财阀，让韩国财阀控制着韩国的经济命脉，韩国财阀支持着韩国80%以上的经济，只要韩国财阀倒下，韩国的经济就有面临崩盘的风险！朴正熙如此厉害，是因为朴正熙选对了政策，朴正熙选择亲美、亲日，拉来美国和日本的巨额投资，和日本、美国保持友好的贸易往来，进口很多日本产品，作为双方合作的基础，长此以往，韩国就没有走自力更生的道理，在半导体材料领域一直靠从日本进口维持韩国电子产业的发展！ 没有永远的敌人，没有永远的朋友，只有永远的利益，这一次，日本和韩国关系的破裂，就是因为利益导致的，由于历史的遗留问题，韩国一直揪着日本不放，这本身没有错。
但是，文在寅的态度太强硬，惹恼了日本首相安倍晋三。6月底，文在寅还在日本大阪参加G20峰会，顺道把美国总统特朗普邀请到韩国做客，想要讨好特朗普，讨好美国，文在寅正得意洋洋，安倍晋三却突然宣布，对出口韩国的3种半导体材料进行出口限制。安倍晋三此举，是要把文在寅逼上绝路的节奏，是要让文在寅下台的节奏。 安倍晋三从来不打没有准备的仗，安倍晋三这次限制出口的3种半导体材料是涂覆咋半导体材料上的感光剂“光刻胶”，是用于半导体清洗的“氟化氢”，是用作手机显示屏等材料的“氟化聚酰亚胺”。
这三种材料中，韩国的“光刻胶”91.9%来自日本，93.7%的“氟化聚酰亚胺”来自日本，43.9%的“氟化氢”来自日本，而且都是韩国自己无法生产出来的半导体材料。安倍晋三这样的做法，会让韩国三星、SK海力士、LG、现代等财阀陷入恐慌，这些财阀已经被动停止生产，每天都在遭受巨额的损失，韩国财阀的压力非常大，他们就把责任推向文在寅，文在寅现在是左右为难，只能为自己的无能感到后悔！ 韩国抵制不良日本的制裁，是因为日本的优秀，日本基本上走自力更生的道理，自给自足，很少有求于人，很少有求于韩国，日本对韩国出口的半导体，就是韩国的死穴，是韩国财阀的死穴，是韩国经济的死穴，牵一发而动全身，文在寅早晚得给安倍晋三赔礼道歉，不然韩国财阀只能把文在寅赶下台，并送进监狱，换一个可以改善日本和韩国关系的总统。
韩国则不一样，日本什么都不靠韩国，韩国的商品可替代性太强，韩国唯一拿得出手的，只有韩国泡菜，只有韩国整容，只有韩国欧巴，对日本来说，这些都无所谓！日本和韩国关系的闹僵再一次说明，求人不如求己，必须走自力更生的道路，什么高科技技术和产品，自己必须得有，一味的依靠别人，依靠进口，两国关系破裂的时候，吃亏的永远是自己的国家！文在寅这一次是搬起石头砸自己的脚，害了韩国经济，也害了自己！韩国如此依赖日本，文在寅就应该先低头，忍辱负重，韩国半导体强大之后，再翻脸也不迟！。
CPU是怎么制作的，制作CPU是干什么？
CPU是人类智慧的杰作，作为半导体中使用得最多的硅元素来源于沙子，所以CPU的制作可以看作是一粒沙子的进化过程。将沙子制作成硅圆片沙子的主要成分为二氧化硅，不过CPU中使用的硅纯度要求达到99.999999999%，所以先要将二氧化硅还原成纯度为98%的冶金级单质硅，然后再提纯出99.99%的多晶硅，但这还不算完，为了让它更适合制作CPU，还要经过不断提纯、形成固定一致形态的单晶硅。
接下来是要制作出单晶硅锭，它长下面那个样子：完成的单晶硅锭直径约300mm，重约100kg。再将制作好的单晶硅锭切掉头尾，并修整其直径到标准值，然后将硅锭切割成均匀的晶圆：为了让切割后的晶圆表面光滑，还需要仔细研磨，然后抛光和加热处理，总之让它的表面成为无缺陷，这样闪亮发光的硅圆片就制作出来了。前工程：制作带有电路的芯片完好的硅圆片可以投入到生产线上了，进入到涂抹光刻胶环节。
这是集成电路制造工艺中的一项关键环节。需要将光刻胶滴在硅晶圆片上，均匀涂抹形成光刻胶薄膜，在温度下固化为光刻胶薄膜。接下来将涂好光刻胶的晶圆放入曝光机中进行掩模图形的“复制”，掩模中有设计好的电路图案，通过紫外线曝光在光刻胶层上形成相应的电路图案。曝光后的晶圆还要进行显影处理，通过喷射强碱性显影液光刻胶会溶解于显影液中，没有被照射到的光刻胶图案会保留下来，这就上是显影，随后会冲洗、热处理等以蒸发水水分和固化胶。
通过蚀刻药剂溶解掉暴露出来的晶圆部分，被光刻胶保护的部分再保留下来。再通过氧等离子体对光刻胶进行灰化处理，清除光刻胶。这样就完成了第一层设计好的电路图案。对于3D FinFET设计的晶体管，还需要重复前面的几个步骤，以获得3D晶体管。然后在特定的区域，导入特定杂质，杂质扩散能控制导电类型（P结、N结）之外，还能控制杂质浓度以及分布。
目前主要是用离子注入法来完成杂质扩散，也是超大规模集成电路中不可缺少的工艺。这时可以清除掉残留下来的光刻胶掩模，经过离子注入单晶硅内部小部分硅原子已经被替换成“杂质”元素，就能产生可自由电子或空穴。至此，基本完成晶体管雏形，接下来需要在在硅晶圆表面全面地沉积氧化硅膜，形成绝缘层，并且需要在层间绝缘膜上开孔，这样能引出导体电极。
接下来需要在晶圆表面上沉积铜层，形成场效应管的源极、漏极、栅极，再在晶圆表面沉积一层绝缘层以能保护晶体管。经过这些复杂的过程，晶体管算是制作完成，后面需要做的就是把这些晶体管连接起来，通过覆盖铜层、光刻掩模、蚀刻开孔等操作来实现，期间还要利用大马士革法新的布线方式完成多层Cu立体化布线。到了这一步，芯片电路基本完成，这中间需要几百道不同精累化工艺加工，任何错误都会导致晶圆报废。
